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2SC3075-251中文资料

厂家型号

2SC3075-251

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功能描述

Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SC3075-251数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 400V(Min)

·DC Current Gain-

: hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A

·Fast switching speed

·Large current capacity

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Driver stage amplifier applications

更新时间:2025-11-1 15:34:00
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