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2SB906-252中文资料

厂家型号

2SB906-252

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功能描述

Silicon PNP Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB906-252数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -60V(Min)

·DC Current Gain-

: hFE= 60(Min)@ IC= -0.5A

·Fast switching speed

·Large current capacity

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Driver stage amplifier applications

更新时间:2025-10-7 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTG
23+
251-252
988888
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TOSHIBA/东芝
23+
SOT-252
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TOSHIBA/东芝
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TO-252
60000
全新原装现货
24+
60000
TOSHIBA/东芝
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