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2SB677中文资料

厂家型号

2SB677

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功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB677数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: hFE = 2000(Min)@ IC= -1A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO = -40V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat) = -1.5V(Max)@ IC= -2A

APPLICATIONS

·Switching applications.

·Hammer drive, pulse motor drive applications.

·Power amplifier applications.

2SB677产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB677

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

更新时间:2025-10-10 17:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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