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2SB673中文资料

厂家型号

2SB673

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2

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-220AB -100V -7A 40W BCE

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB673数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= -3A

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -100V(Min)

• Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat) = -1.5V(Max)@ IC= -3A

• Complement to Type 2SD633

APPLICATIONS

• High power switching applications.

• Hammer drive, pulse motor drive applications.

2SB673产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB673

  • 制造商

    Distributed By MCM

  • 功能描述

    SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-220AB -100V -7A 40W BCE

更新时间:2025-10-12 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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