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2SB1430中文资料

厂家型号

2SB1430

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2

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

Bulk

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB1430数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -100V(Min)

·High DC Current Gain-

: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -2A)

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -2A, IB= -2mA) B

APPLICATIONS

·Designed for low-frequency power amplifiers and low speed switching applications.

2SB1430产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1430

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Bulk

更新时间:2025-10-8 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220F
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NEC
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