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2SB1411中文资料

厂家型号

2SB1411

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2

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB1411数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO=-100V(Min)

• High DC Current Gain-

: hFE= 1500(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1A)

• Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (lc= -1A, IB=-2mA)

APPLICATIONS

• High power switching applications.

• Hammer drive, pulse motor drive applications

更新时间:2025-10-12 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
17+
TO-220
31518
原装正品 可含税交易
24+
TO-220F
10000
全新
ROHM
08PB
SOT252/2.5
1570
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