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2SB1007中文资料

厂家型号

2SB1007

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistors

数据手册

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生产厂商

ISC

2SB1007数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -80V(Min)

·Good Linearity of hFE

·Complement to Type 2SD1378

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

2SB1007产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1007

  • 制造商

    JMNIC

  • 制造商全称

    Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 功能描述

    Silicon PNP Power Transistors

更新时间:2026-5-20 10:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
23+
TO-126
50000
全新原装正品现货,支持订货
ROHM
112
TO-126
572
全新 发货1-2天

2SB1007 晶体管资料

  • 2SB1007别名:2SB1007三极管、2SB1007晶体管、2SB1007晶体三极管

  • 2SB1007生产厂家:TOY

  • 2SB1007制作材料:Si-PNP

  • 2SB1007性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 2SB1007封装形式:直插封装

  • 2SB1007极限工作电压:80V

  • 2SB1007最大电流允许值:0.7A

  • 2SB1007最大工作频率:100MHZ

  • 2SB1007引脚数:3

  • 2SB1007最大耗散功率:10W

  • 2SB1007放大倍数

  • 2SB1007图片代号:B-21

  • 2SB1007vtest:80

  • 2SB1007htest:100000000

  • 2SB1007atest:0.7

  • 2SB1007wtest:10

  • 2SB1007代换 2SB1007用什么型号代替:BD140,BD231,2SA505,2SA1184,2SA1220,2SB631,2SB1110,