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2N6609中文资料

厂家型号

2N6609

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

两极晶体管 - BJT 16A 140V 150W PNP

数据手册

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生产厂商

ISC

2N6609数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Excellent Safe Operating Area

• High DC Current Gain-hFE=15(Min)@IC = -8A

• Low Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.4V(Max)@ IC = -8A

• Complement to Type 2N3773

APPLICATIONS

• Designed for high power audio ,disk head positioners and

other linear applications, which can also be used in power

switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC

converters or inverters.

2N6609产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6609

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 16A 140V 150W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-4 18:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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