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2N5195G中文资料
2N5195G数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= -80V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat) :-1.4V(Max) @IC= -4A
2N5195G产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N5195G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 4A 80V 40W PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
更新时间：2025-10-8 8:12:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-225 |
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ONSEMI/安森美 |
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TO-225 |
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ON/安森美 |
2021+ |
TO-126 |
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原装现货,随时欢迎询价 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-126 |
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onsemi(安森美) |
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TO-225 |
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ON |
24+ |
TO-225 |
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ONSemiconductor |
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NA |
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TO-126 |
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TO-225 |
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2N5195G 价格
参考价格：￥1.5863
型号：2N5195G 品牌：ON 备注：这里有2N5195G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N5195G批发/采购报价，2N5195G行情走势销售排排榜，2N5195G报价。
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