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SI4410DY中文资料

厂家型号

SI4410DY

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95.92Kbytes

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8

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET 30V N-Ch. FET

数据手册

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生产厂商

IRF

SI4410DY数据手册规格书PDF详情

Description

This N-channel HEXFET® Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low on-resistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications

The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.

● N-Channel MOSFET

● Low On-Resistance

● Low Gate Charge

● Surface Mount

● Logic Level Drive

SI4410DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4410DY

  • 功能描述

    MOSFET 30V N-Ch. FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
24+
标准封装
7098
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SI4410DYTRPBF-CUTTAPE 价格

参考价格:¥2.0528

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