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IRLZ34L中文资料

厂家型号

IRLZ34L

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10

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET N-CH 60V 30A TO-262

数据手册

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生产厂商

IRF

IRLZ34L数据手册规格书PDF详情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

Advanced Process Technology

Surface Mount (IRLZ34S)

Low-profile through-hole (IRLZ34L)

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

IRLZ34L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRLZ34L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 30A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-10 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
TO-262
3000
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
24+
TO 262
161163
明嘉莱只做原装正品现货
VISHAY/威世
2450+
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9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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原厂原装
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VISHAY
21+
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10000
原装现货假一罚十