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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
• Logic-Level Gate Drive
• Ultra Low On-Resistance
• Surface Mount (IRLR2705)
• Straight Lead (IRLU2705)
• Advanced Process Technology
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
IRLU2705产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLU2705
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 251 |
161474 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
25+ |
TO-251 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
21+ |
TO-251 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
19+ |
TO-251 |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
原装正品 |
23+ |
TO-251 |
33097 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
I-Pak |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
IRLU2705PBF 价格
参考价格：￥4.3052
IRLU2705 资料下载更多...
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- TLE2024MDW
- TLE2024MJ
Datasheet数据表PDF页码索引
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