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Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Surface Mount (IRLR024N)
● Straight Lead (IRLU024N)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
IRLU024N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLU024N
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
13+ |
TO-251 |
10000 |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRLU024NPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。 |
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IR |
25+ |
TO-251 |
20540 |
保证进口原装现货假一赔十 |
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IR |
25+ |
TO-251 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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Infineon |
19+ |
TO-251 |
40106 |
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INFINEON |
22+ |
sot |
6600 |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
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INFINEON |
24+ |
TO-251 |
12000 |
原装正品 价格优势 |
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IR |
25+ |
TO-220 |
32000 |
IR全新特价IRLU024NPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
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IR |
SOT-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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IR |
23+ |
TO-251 |
65400 |
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IR |
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TO-251 |
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IRLU024NPBF 价格
参考价格：￥1.7631
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2023-1-27
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- 202R29N1R0KF4T
- 202R29N1R0MV6U
- 24130101000
- B72205S0441K101
- B72207S0251K101
- C1210C102DGRAC
- C320C102M2R5CA
- C320C102P1G5CA
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- CLG06P007L12
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- FLLD31K0APV1
- FLLE2100APVR1
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- IRFS4610TRLPBF
- IRIS4013K
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- PM1008-R68K-RC
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- PM628S-6R0-RC
- PM638S-8R7-RC
- TPSC107K050H0100
Datasheet数据表PDF页码索引
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