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IRLR3303中文资料

厂家型号

IRLR3303

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139.15Kbytes

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10

功能描述

Power MOSFET

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRLR3303数据手册规格书PDF详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

• Logic-Level Gate Drive

• Ultra Low On-Resistance

• Surface Mount (IRLR3303)

• Straight Lead (IRLU3303)

• Advanced Process Technology

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

IRLR3303产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRLR3303

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-19 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
19+
TO-252
22500
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
45000
INFINEON/英飞凌全新现货IRLR3303即刻询购立享优惠#长期有排单订
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22+
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原装正品,实单请联系
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原装现货,随时欢迎询价
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