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Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Surface Mount (IRLR024N)
● Straight Lead (IRLU024N)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
IRLR024NTRL产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLR024NTRL
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25650 |
新到现货,只做原装进口 |
||||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
DPAK |
22412 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
DPAK |
22412 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
IR |
24+ |
TO-252 |
36800 |
||||
IR |
25+ |
TO-252 |
8000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
25+ |
D-PAK |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
IRLR024NTRLPBF 价格
参考价格：￥1.4134
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- IXTN3N250L
- IXTN40P50P
- IXTN62N50L
- IXTN8N150L
- IXTN90P20P
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- SY10EP05VZC
- SY10EP05VZCTR
- SY10EP05VZG
- SY10EP05VZI
- SY10EP05VZITR
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