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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of 1.0W is possible in a typical surface mount application.
● Surface Mount
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
IRLL014NTR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLL014NTR
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
19+ |
SOT-223 |
38000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
SOT-223 |
16300 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
INFINEON |
23+ |
SOT-223 |
24837 |
正规渠道,只有原装! |
|||
INFINEON |
22+ |
sot |
6600 |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
|||
IR |
16+ |
SOT-223 |
36000 |
原装正品,优势库存81 |
|||
IR |
24+ |
SOT223 |
98000 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
INFINEON |
20+ |
SOT-223 |
50000 |
||||
IR |
25+23+ |
SOT223 |
13397 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
IR |
2021+ |
SOT-223 |
9450 |
原装现货。 |
|||
INFINEON |
25+ |
SOT223 |
15000 |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
IRLL014NTRPBF-CUTTAPE 价格
参考价格：￥1.1644
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
中文资料: 32111条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
