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Description
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Logic-Level Gate Drive
IRL1004S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRL1004S
- 功能描述
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
D2PAK |
21000 |
||||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原装正品，实单请联系 |
|||
IR |
24+ |
TO 220 |
161319 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
45000 |
IR代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
|||
IR |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
||||
IR |
1415+ |
TO-263 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
|||
IR |
13+ |
TO-263 |
8238 |
原装分销 |
|||
ir |
05+ |
TO-263 |
15000 |
原装进口 |
|||
IR |
TO-263 |
2000 |
原装长期供货! |
IRL1004STRRPBF 价格
参考价格：￥11.0603
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- IRL3502S
- P4KE27A-T8
- P4SMAJ110CA
- P4SMAJ78CA
- P6KE10CA-T3
- P6KE180CA
- P6KE220C
- P6SMBJ64CA
- SA60
- SA78A
- SA85
- SB25100CT
- SHM30F
- SHM40UF
- SHM60F
- SHM60UF
- T419C105M020MB4251
- T429B105M020MB4251
- T429C105J020DK4250
- TP5100
- TP5100Y
- XC6105D040
- XC6105D639
- XC6112D639
Datasheet数据表PDF页码索引
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