位置：IRGS10B60KDPBF > IRGS10B60KDPBF详情
IRGS10B60KDPBF中文资料
IRGS10B60KDPBF数据手册规格书PDF详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10μs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
IRGS10B60KDPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGS10B60KDPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
19+ |
TO263 |
9000 |
||||
IR |
24+ |
TO263 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
159863 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
17+ |
TO-263 |
4170 |
原装现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
18+ |
TO-263 |
3500 |
进口原装假一赔十支持含税 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
12170 |
只做原装假一赔十 |
|||
INTERNATI |
12+ |
1000 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
||||
Infineon |
24+ |
NA |
3642 |
进口原装正品优势供应 |
IRGS10B60KDPBF 价格
参考价格：￥10.5509
IRGS10B60KDPBF 资料下载更多...
IRGS10B60KDPBF 芯片相关型号
- AA3022SGC-4.5SF
- B59008C0060A040
- BRUS550
- BRUS760
- CY7C1355C-100BGI
- CY7C1356C-200BGXI
- CY7C1357C-100AXI
- CY7C1372D-167AXC
- CY7C1372DV25
- IDT7205L25TDG
- IDT72255LA
- M36L0R7060B1
- M3H66FBD
- M3H68FBD
- MAH11TCX
- MAH68TCX
- MAH78TCX
- MGFC45B3436B
- MGFC45V4450A
- MHO+17TFD-R
- MR1A16AVYS35
- MR2S08AVYS35
- P4C170-15DC
- V24B15H250B
- V300A15H250B
- V375A15M250B
- V48B15H250B
- XC6101A048
- XC6106A647
- XC6107A048
IRF相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
International Rectifier
中文资料: 32179条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
