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IRGB14C40LPBF中文资料

厂家型号

IRGB14C40LPBF

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11

功能描述

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps

IGBT 晶体管 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT

数据手册

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生产厂商

IRF

IRGB14C40LPBF数据手册规格书PDF详情

Description

The advanced IGBT process family includes a MOS gated, N-channel logic level device which is intended for coil-on-plug automotive ignition applications and small-engine ignition circuits.

Features

• Most Rugged in Industry

• Logic-Level Gate Drive

• > 6KV ESD Gate Protection

• Low Saturation Voltage

• High Self-clamped Inductive Switching Energy

• Lead-Free

IRGB14C40LPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGB14C40LPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
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NA
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IR
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IRGB14C40LPBF 价格

参考价格:¥5.8218

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