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IRG7PH37K10D-EPBF中文资料

厂家型号

IRG7PH37K10D-EPBF

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12

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

数据手册

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生产厂商

IRF

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Features

Low VCE(ON) and Switching Losses

10µs Short Circuit SOA

Square RBSOA

Maximum Junction Temperature 150°C

Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

Benefits

High Efficiency in a Wide Range of Applications

Increased Reliability

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Rugged Transient Performance

Applications

• Industrial Motor Drive

• UPS

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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