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IRG4PF50WPBF中文资料

IRG4PF50WPBF
厂家型号

IRG4PF50WPBF
文件大小

654.43Kbytes
页面数量

9页
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz
数据手册

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生产厂商

IRF

相近规格书

IRG4PF50WPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PF50WPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IRG4PF50WPBF供应商...

更新时间：2025-10-5 11:17:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市富利微电子科技有限公司
IRG4PF50WPBF
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深圳市卓越微芯电子有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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IRG4PF50WPBF 价格

参考价格：￥15.0088

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