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IRG4IBC10UDPBF中文资料

厂家型号

IRG4IBC10UDPBF

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312.06Kbytes

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4IBC10UDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4IBC10UDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 8:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-220
2317
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
IR
24+
TO-220
2600
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
17+
TO-220F
6200
100%原装正品现货
IR
24+
TO220F
5000
全现原装公司现货
Infineon
24+
NA
3654
进口原装正品优势供应
IR
23+
TO220F
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International Rectifier
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全新原装 货期两周
Infineon(英飞凌)
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