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IRG4BC40FPBF中文资料

厂家型号

IRG4BC40FPBF

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8

功能描述

Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT

IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC40FPBF数据手册规格书PDF详情

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

Features

• Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• Industry standard TO-220AB package

• Lead-Free

IRG4BC40FPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC40FPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 13:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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