位置:IRFZ46ZLPBF > IRFZ46ZLPBF详情
IRFZ46ZLPBF中文资料
IRFZ46ZLPBF数据手册规格书PDF详情
Description
This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
IRFZ46ZLPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ46ZLPBF
- 功能描述
MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
NA |
2186 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
16569 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
INFINEON |
1503+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
21+ |
TO-262 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
IRFZ46ZLPBF 价格
参考价格:¥4.9044
IRFZ46ZLPBF 资料下载更多...
IRFZ46ZLPBF 芯片相关型号
- ADC12C170
- ADC14V155LFEB
- BQ6400
- DS25CP102Q
- LC51024MB-45Q256C
- LC5256MC-45Q256C
- LC5768MB-52FN256C
- S21Z200D15
- SMAJ100
- SMAJ110
- SMAJ120A
- SMAJ60
- SMAJ75A
- SMBJ17
- SMBJ7.0
- SMBJ85A
- SMCJ100
- SMCJ60
- SMCJ85
- SMCJ85A
- SMCJ90A
- XC2164B61CCF
- XC2164C51BCF
- XC2164K51BCF
- XC2164L61CCF
- XC2164M51BCF
- XC6121A620ER
- XC6121C619ER
- XC6121D220ER
- XC6202P642TL
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在