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Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRFZ46S)
● Low-profile through-hole (IRFZ46L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
IRFZ46L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ46L
- 功能描述
MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 262 |
161527 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO263 |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Vishay Siliconix |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VB |
23+ |
TO-262 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
VB |
23+ |
TO-262 |
7000 |
||||
Vishay |
25+ |
D2PAK |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
|||
IR |
NEW |
TO-262 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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IRFZ46L 芯片相关型号
- 1050C3
- 1051QA1
- 1090N5-28V
- 2113A5
- 22-28-2346
- 22-28-2358
- 2-5917408-2
- 42226-0034
- 5102H5-5V
- 5340H1LC
- 5380H5-5V
- 5381H1LC
- B15P-SHF-1AA
- FMMT38B
- H20P-SHF-AA
- H22P-SHF-AA
- HFBR-0400
- IC189-0482-111
- IC189-0542-093
- IC51-0302-904
- IC51-0502-1708
- RK73H1ETTP4301F
- RK73H2B1206
- SM4TH
- V12ZA1P
- V130LA20BP
- V18ZA1P
- V33ZS1P
- V39ZA1P
- XF6230
Datasheet数据表PDF页码索引
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