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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRFZ34NS)
● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
IRFZ34NS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ34NS
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
45000 |
IR全新现货IRFZ34NS即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
464 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
17+ |
D2-Pak |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
INFINEONTECHNOLOGIESAG |
24+ |
D2PAK |
160455 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
501426 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
IR |
23+ |
TO263 |
7850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
IR/VISHAY |
2010+ |
TO-220 |
100 |
全新、原装 |
|||
IR |
06+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装 绝对有货 |
IRFZ34NSTRRPBF 价格
参考价格：￥2.9277
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- ICS181M-53LFT
- ICS181M-53T
- ICSSSTVA16859BK-T
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- JANTX1N4578ATR-1-3
- K2180D1EN1S
- K50460D1EN1S
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- MB89P558A-202PFT
- MB89PV550A-202CF
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- MRSB-3-4UXPC
- RT9169-31CCB
- RT9169-43CCB
- TCL300DE3-A
- TCL450DNY3-A
- TCL75DNY3-A
- VSC7809WC
- WSH413
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