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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Ease of Paralleling
IRFZ34N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ34N
- 功能描述
MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
新 |
进口原装 |
3000 |
库存现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
20540 |
保证进口原装现货假一赔十 |
|||
IR |
2020+ |
TO-220 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
19+ |
TO-220 |
11987 |
||||
IR |
2020+ |
TO-220 |
22000 |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
|||
INFINEON |
22+ |
sot |
6600 |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
D2PAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
15000 |
全新原装的现货 |
|||
23+ |
TO-220 |
12550 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
||||
IR |
ROHS全新原装 |
TO-220 |
9782 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
IRFZ34NSTRRPBF 价格
参考价格：￥2.9277
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
中文资料: 32179条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
