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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount (IRFR3303)
● Straight Lead (IRFU3033)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
IRFU3303产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFU3303
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
05+ |
TO-251 |
12000 |
原装进口 |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
25+ |
TO-251 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
21+ |
TO-251 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
21+ |
TO-251 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
I-Pak |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
IR |
24+ |
NA/ |
24260 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
IRFU3303PBF 价格
参考价格：￥2.6923
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- AME8500CEEVBE18
- AME8500CEFVBE18
- AME8501BEEVBE18
- AT40K10-2AJC
- AT40K10-2RQC
- BYT08P1000A
- CD74HC42
- IDT71V2546S150PFI
- IDT71V2548S133BQ
- IDT71V2548S150PFI
- IDT74FCT541LB
- IRFK4H450
- IRFK4J150
- IRFK4J450
- IRHNJ597130
- IS63LV1024-10J
- ISL6420IAZ-TK
- ISP620-1
- ISP620-1X
- IXBT16N170A
- IXFK100N10
- IXGH30B60BD1
- JANTXV1N3045CUR-1
- XC6201P212PL
Datasheet数据表PDF页码索引
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