位置：IRFSL3207 > IRFSL3207详情
IRFSL3207中文资料
IRFSL3207数据手册规格书PDF详情
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits
Worldwide Best RDS(on) in TO-220
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
IRFSL3207产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFSL3207
- 功能描述
MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-262 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-262 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原装现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
||||
IR |
24+ |
TO-262 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
18+ |
TO-262 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
IRFSL3207ZPBF 价格
参考价格：￥7.6727
IRFSL3207 资料下载更多...
IRFSL3207 芯片相关型号
- 1.5KE160A
- 1N6294A
- 3D7105Z-.75
- 74LVX3L384QSC
- AS5C512K8EC-35/H
- AS5C512K8ECJ-25/H
- ASM811JEUS-T
- ASM811MEUS-T
- ATF22V10CQ-15JI
- BF-C323RD
- BL-BG2341
- BL-BG33J4
- BL-BJ2341
- BL-BK331K
- BS62LV8007EIP70
- BS-A312RD-B
- BS-A316RD-B
- BS-A342RD-A
- BS-A343RD-A
- BS-A344RD-A
- BS-A556RD-B
- BS-A606RD
- DA04-11YWA
- E157
- HMC121G8
- IRFB3207
- JANTX1N3994D
- JANTX1N3998RC
- JANTXV1N3996D
- JANTXV1N3997D
IRF相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
