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IRFS23N20DPBF中文资料
IRFS23N20DPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFS23N20DPBF
- 功能描述
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-21 9:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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IR |
2024+实力库存 |
TO-263 |
4800 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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IR |
23+ |
TO263 |
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IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
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IR |
2017+ |
TO263 |
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深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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IR |
2018+ |
TO263 |
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IR |
23+ |
NA |
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IR |
23+ |
TO-263 |
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IR |
22+23+ |
TO263 |
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IR |
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TO263 |
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IRFS23N20DPBF 价格
参考价格：￥6.4201
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International Rectifier 英飞凌科技公司
中文资料: 29983条
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技
