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IRFR13N20DTRPBF中文资料

厂家型号

IRFR13N20DTRPBF

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231.09Kbytes

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11

功能描述

High frequency DC-DC converters

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFR13N20DTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR13N20DTRPBF

  • 功能描述

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 18:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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TO-252
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原装现货,随时欢迎询价
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
INFINEON/英飞凌
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明嘉莱只做原装正品现货
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TO-252
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原装现货假一罚十

IRFR13N20DTRPBF 价格

参考价格:¥2.6922

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IRFR13N20DTRPBF相关电子新闻

  • IRFR13N20DTRPBF

    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

    2021-10-12
  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

    2021-10-12