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IRFPF30中文资料

厂家型号

IRFPF30

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165.09Kbytes

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6

功能描述

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)

MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFPF30数据手册规格书PDF详情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Isolated Central Mounting Hole

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

IRFPF30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFPF30

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-31 19:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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