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IRFP3710PBF中文资料

厂家型号

IRFP3710PBF

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9

功能描述

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )

MOSFET MOSFT 100V 51A 250mOhm 66.7nCAC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFP3710PBF数据手册规格书PDF详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

IRFP3710PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFP3710PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 100V 51A 250mOhm 66.7nCAC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 9:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IRFP3710PBF 价格

参考价格:¥4.3411

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