位置:IRFH5106TR2PBF > IRFH5106TR2PBF详情

IRFH5106TR2PBF中文资料

厂家型号

IRFH5106TR2PBF

文件大小

339.94Kbytes

页面数量

8

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET MOSFT 60V Gen 10.7 4.98mOhm 56.2nC Qg

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

IRF

IRFH5106TR2PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFH5106TR2PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 60V Gen 10.7 4.98mOhm 56.2nC Qg

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
DFN5X6
13220
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
17+
QFN8
6200
100%原装正品现货
Infineon
24+
NA
3301
进口原装正品优势供应
IR
20+
QFN
19570
原装优势主营型号-可开原型号增税票
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
IR
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
QFN8
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
INFINEON
25+
QFN-8
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IR
1923+
QFN8
5000
正品原装品质假一赔十
IR
23+
DFN5X6
50000
全新原装正品现货,支持订货