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IRFBE30中文资料

厂家型号

IRFBE30

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167.56Kbytes

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6

功能描述

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)

MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFBE30数据手册规格书PDF详情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

O Dynamic dv/dt Rating

O Repetitive Avalanche Rated

O Fast Switching

O Ease of Paralleling

O Simple Drive Requirements

IRFBE30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFBE30

  • 功能描述

    MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 16:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRFBE30
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IR
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IRFBE30STRLPBF 价格

参考价格:¥8.0092

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