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IRFBC30APBF中文资料

厂家型号

IRFBC30APBF

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175.46Kbytes

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8

功能描述

HEXFET짰 Power MOSFET

MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFBC30APBF数据手册规格书PDF详情

Benefits

● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement

● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness

● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

● Effective Coss specified (See AN 1001)

Applications

● Switch Mode Power Supply (SMPS)

● Uninterruptable Power Supply

● High speed power switching

● Lead-Free

IRFBC30APBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFBC30APBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
TO-220
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VISHAY
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1000
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VISHAY
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VISHAY(威世)
24+
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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IRFBC30APBF 价格

参考价格:¥3.7850

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