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Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
• Dynamic dv/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paraleling
• Simple Drive Requirements
IRFB9N30A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFB9N30A
- 功能描述
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
24+ |
TO 220 |
161549 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原装现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
||||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
||||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
4231 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VISHAY |
1503+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IRF相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
