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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Generation V Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dual N-Channel MOSFET
● Surface Mount
● Very Low Gate Charge and Switching Losses
● Fully Avalanche Rated
IRF9956产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF9956
- 功能描述
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
HEXFET®
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IRF |
24+ |
SOP-8P |
30 |
现货 |
|||
IRF |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
||||
IRF |
2020+ |
SOP-8 |
2100 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
19+ |
SOP8 |
33911 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
23+ |
SO-8 |
65400 |
||||
IR |
24+ |
SO-8 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IR |
24+ |
SOP8 |
22960 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
20+ |
SOP-8 |
300000 |
原装正品 可含税交易 |
IRF9956TRPBF 价格
参考价格：￥1.8482
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
中文资料: 32046条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
