位置:IRF8707PBF > IRF8707PBF详情
IRF8707PBF中文资料
IRF8707PBF数据手册规格书PDF详情
Description
The IRF8707PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8707PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operationincluding Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications.
Benefits
Very Low Gate Charge
Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
20V VGS Max. Gate Rating
100 tested for Rg
Lead-Free
IRF8707PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF8707PBF
- 功能描述
MOSFET 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
24+ |
SOP8 |
27930 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP-8 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
IR |
2020+ |
SOP-8 |
755 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
17+ |
SO-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
IR |
23+ |
NA |
3474 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
IR |
21+ |
SOP-8 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
IR |
18+ |
SOIC-8 |
35624 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
IRF8707PBF 价格
参考价格:¥1.1980
IRF8707PBF 资料下载更多...
IRF8707PBF 芯片相关型号
- CXK77K18R320GB-3
- CXK79M36C164GB
- ES6128
- ES6168FA
- ES6168FAF
- ES6178FF
- ES7010F
- IRLR3410PBF
- IRS2118SPBF
- MAX11504CUB+
- MAX13444E
- MAX16807_07
- MAX9583_0710
- MAX9584AUA+T
- MAX9725AETC+
- MGCT03KG
- S29GL064N11BAI022
- S29GL064N11BFI072
- S29GL064N11FAI022
- S29GL064N11FFI032
- S29GL064N11TAI042
- S29GL064N11TFI042
- S29GL064N90BAI032
- S29GL064N90FAI072
- S29GL064N90TAI032
- S29GL064N90TAI072
- ST7FLITEUS5U3
- YB1200SC70S-2.5G
- YB1200SC82S-1.8G
- YB1200SC82S-2.6G
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在