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IRF7832PBF中文资料

厂家型号

IRF7832PBF

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10

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7832PBF数据手册规格书PDF详情

Benefits

● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

● Ultra-Low Gate Impedance

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

● 20V VGS Max. Gate Rating

● 100 tested for Rg

Applications

● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

● Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters in

Networking Systems

● Lead-Free

IRF7832PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7832PBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-9 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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IRF7832PBF 价格

参考价格:¥1.8172

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