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IRF7828PBF中文资料

厂家型号

IRF7828PBF

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6

功能描述

HEXFET짰 Power MOSFET for DC-DC Converters

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.3nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7828PBF数据手册规格书PDF详情

Description

This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors.

• N-Channel Application-Specific MOSFETs

• Ideal for CPU Core DC-DC Converters

• Low Conduction Losses

• Low Switching Losses

• Lead-Free

IRF7828PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7828PBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.3nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-9 13:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
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