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IRF7750中文资料

厂家型号

IRF7750

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7

功能描述

Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.030ohm)

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7750数据手册规格书PDF详情

Description

HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for battery and load management.

The TSSOP-8 package has 45 less footprint area than the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (

● Ultra Low On-Resistance

● Dual P-Channel MOSFET

● Very Small SOIC Package

● Low Profile ( < 1.1mm)

● Available in Tape & Reel

IRF7750产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7750

  • 功能描述

    MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    HEXFET®

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-10-5 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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