位置:IRF7726 > IRF7726详情
IRF7726中文资料
IRF7726数据手册规格书PDF详情
Description
HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for battery and load management.
The new Micro8 package, with half the footprint area of the standard SO-8, provides the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the Micro8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (< 1.2mm)
● Available in Tape & Reel
IRF7726产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF7726
- 功能描述
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
12432 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
Micro8? |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
MSOP8 |
10000 |
只做原装承诺假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
MSOP8 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
IR |
2023+ |
MSOP |
53500 |
正品,原装现货 |
|||
IR/INFINEON |
24+ |
SOP-8 |
5715 |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
|||
INFINEONTECHNOLOGIESAG |
24+ |
Micro |
160461 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
MSOP8 |
14308 |
原装进口、正品保障、合作持久 |
|||
IR |
24+ |
SOP-8 |
500652 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
IRF7726TRPBF 价格
参考价格:¥1.6153
IRF7726 资料下载更多...
IRF7726 芯片相关型号
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在