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IRF7523D1中文资料

厂家型号

IRF7523D1

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8

功能描述

FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)

MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7523D1数据手册规格书PDF详情

Description

The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications like cell phone, PDA, etc.

● Co-packaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode

● N-Channel HEXFET

● Low VF Schottky Rectifier

● Generation 5 Technology

● Micro8TM Footprint

IRF7523D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7523D1

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    FETKY™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 16:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
PLCC-32
18000
原厂直接发货进口原装
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25+
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8TSSOP 8MSOP
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原装正品,支持实单
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原装正品,提供BOM配单服务
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