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IRF7475PBF中文资料

厂家型号

IRF7475PBF

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10

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 13nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7475PBF数据手册规格书PDF详情

Benefits

● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

● Ultra-Low Gate Impedance

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems.

● Lead-Free

IRF7475PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7475PBF

  • 功能描述

    MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 13nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
17+
SO-8
6200
100%原装正品现货
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5000
全现原装公司现货
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原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon Technologies
23+
原装
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只做原装现货