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IRF7207中文资料

厂家型号

IRF7207

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7

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7207数据手册规格书PDF详情

Description

Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Generation 5 Technology

• P-Channel Mosfet

• Surface Mount

• Available in Tape & Reel

• Dynamic dv/dt Rating

• Fast Switching

IRF7207产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7207

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-7 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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