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位置：IRF6641TRPBF > IRF6641TRPBF详情

IRF6641TRPBF中文资料

IRF6641TRPBF
厂家型号

IRF6641TRPBF
文件大小

244.8Kbytes
页面数量

9页
功能描述

DirectFET TM Power MOSFET

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC
数据手册

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生产厂商

IRF

相近规格书

IRF6641TRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6641TRPBF

  • 功能描述

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF6641TRPBF供应商...

更新时间：2026-1-30 17:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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