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IRF634NS中文资料

厂家型号

IRF634NS

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301.06Kbytes

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11

功能描述

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A)

MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF634NS数据手册规格书PDF详情

Description

Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

l Ease of Paralleling

l Simple Drive Requirements

IRF634NS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF634NS

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-30 16:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
D2-PAK
9450
原装正品,实单请联系
IR
05+
原厂原装
1001
只做全新原装真实现货供应
IR
24+
D2-Pak
8866
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原装,现货库存长期供应
IR
24+
TO-263
5000
全现原装公司现货
IR
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
VISHAY
25+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
25+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
Vishay Siliconix
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单