位置：IRF6215S > IRF6215S详情
IRF6215S中文资料
IRF6215S数据手册规格书PDF详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRF6215S)
Low-profile through-hole (IRF6215L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
IRF6215S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6215S
- 功能描述
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
D2PAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
1335 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
INF |
23+ |
D2PAK |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
D2PAK |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
501308 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
|||
IR |
2013+ |
TO-263 |
16000 |
授权分销IR场效应管，现货供应 IRF6215STRLPBF，全新原装正品，品质保证。 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
36800 |
IRF6215STRRPBF 价格
参考价格：￥3.4857
IRF6215S 资料下载更多...
IRF6215S 芯片相关型号
- 5B35-CUSTOM
- AD1940
- APBL3025ESGC
- AS4LC256K16E0-45JC
- CCL100DK2-TTD2
- CCL150DE2-TTD2
- CCL450DE2-TTD2
- CY62147DV30LL-55BVI
- CY62147DV30LL-55BVXI
- DM74LS471V
- EGC25HRXN
- EGC30HRXN
- EZC30HRXN
- FX-104-CFC-D4C9
- FX-104-DFF-D3C9
- HD63A05X2F
- HD63A05X2P
- HD63B05X2F
- IDTQS74FCT253AT
- IXRH50N120
- JANS1N4579AURTR-1-2
- MRS-2-5KGPC
- NRB476M35
- NRT226M35
- NRU476M35
- P80C58SBBB
- P87C58SBAA
- R3111E321C
- R3111E351C
- R3111N341C
IRF相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
