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IRF6215S数据手册规格书PDF详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRF6215S)
Low-profile through-hole (IRF6215L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
IRF6215S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6215S
- 功能描述
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-263 |
32360 |
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IR |
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TO-263 |
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D2PAK |
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D2PAK |
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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TO-263 |
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INFINEON/英飞凌 |
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IR |
24+ |
TO-263 |
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IR |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
IRF6215STRRPBF 价格
参考价格：￥3.4857
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- DM74LS471V
- EGC25HRXN
- EGC30HRXN
- EZC30HRXN
- FX-104-CFC-D4C9
- FX-104-DFF-D3C9
- HD63A05X2F
- HD63A05X2P
- HD63B05X2F
- IDTQS74FCT253AT
- IXRH50N120
- JANS1N4579AURTR-1-2
- MRS-2-5KGPC
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- NRU476M35
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- R3111E321C
- R3111E351C
- R3111N341C
Datasheet数据表PDF页码索引
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