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IRF6215S数据手册规格书PDF详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRF6215S)
Low-profile through-hole (IRF6215L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
IRF6215S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6215S
- 功能描述
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-263 |
32360 |
IR全新特价IRF6215STRLPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
INF |
25+ |
D2PAK |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
D2PAK |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
|||
IR |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IR |
2013+ |
TO-263 |
16000 |
授权分销IR场效应管，现货供应 IRF6215STRLPBF，全新原装正品，品质保证。 |
|||
IR |
24+ |
SMD |
6430 |
新进库存/原装 |
|||
IR |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
|||
IR |
TO |
800 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
IRF6215STRRPBF 价格
参考价格：￥3.4857
IRF6215S 资料下载更多...
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- CY62147DV30LL-55BVXI
- DM74LS471V
- EGC25HRXN
- EGC30HRXN
- EZC30HRXN
- FX-104-CFC-D4C9
- FX-104-DFF-D3C9
- HD63A05X2F
- HD63A05X2P
- HD63B05X2F
- IDTQS74FCT253AT
- IXRH50N120
- JANS1N4579AURTR-1-2
- MRS-2-5KGPC
- NRB476M35
- NRT226M35
- NRU476M35
- P80C58SBBB
- P87C58SBAA
- R3111E321C
- R3111E351C
- R3111N341C
Datasheet数据表PDF页码索引
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