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Description
These N-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.
This Dual TSOP-6 package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium and where maximum functionality is required. With two die per package, the IRF5852 can provide the functionality of two SOT-23 packages in a smaller footprint. Its unique thermal design and RDS(on) reduction enables an increase in current-handling capability.
• Ultra Low On-Resistance
• Dual N-Channel MOSFET
• Surface Mount
• Available in Tape & Reel
• Low Gate Charge
IRF5852TR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF5852TR
- 功能描述
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
HEXFET®
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TSOP-6 |
39500 |
IR全新特价IRF5852TRPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IR |
16+ |
TSOP-6 |
6560 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
TSOP6L |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
IR |
2019+PB |
TSOP-6 |
6560 |
原装正品 可含税交易 |
|||
IR |
23+ |
TSOP-6 |
25000 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
IR |
24+ |
TSOT-6 |
160813 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
IR |
24+ |
SOT23-6 |
45000 |
原装正品 特价现货(香港 新加坡 日本) |
|||
NK/南科功率 |
SOT-23-6 |
2255 |
国产南科平替供应大量 |
||||
IR |
24+ |
SOT-163SOT-23-6 |
27200 |
新进库存/原装 |
IRF5852TR 价格
参考价格：￥0.7150
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- T368E105M035AS
- TB0194A
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